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在半导体器件的整个制造过程中，刻蚀步骤多达上百个，是半导体制造中最常用的工艺之一，微缩化+3D化，推动刻蚀用量增加。
2D在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩遇到物理极限，现已面临瓶颈。为了在维持性能的情况下实现容量提升，3DNAND成为发展主流，其堆叠层数增加，刻蚀设备用量占比不断攀升。华西证券指出，由于存储器技术由二维转向三维架构，刻蚀设备和薄膜沉积设备已取代光刻机成为最关键、最核心的设备。
上市公司中，江丰电子(300666)生产的各种精密零部件产品已经广泛用于PVD、CVD、刻蚀机等半导体设备。万业企业(600641)产品已覆盖集成电路离子注入机、刻蚀、薄膜沉积、快速热处理等多款集成电路核心前道设备。
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